IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) são dois tipos de dispositivos semicondutores com três terminais. Ambos são usados para controlar correntes e para fins de comutação. Ambos os dispositivos possuem um terminal de controle denominado 'gate', mas possuem diferentes princípios de operação.
GTO (tiristor de desligamento do portão)
O GTO é feito de quatro camadas de semicondutores do tipo P e do tipo N, e a estrutura do dispositivo é um pouco diferente em comparação com um tiristor normal. Em análise, GTO também é considerado um par acoplado de transistores (um PNP e outro na configuração NPN), o mesmo que para tiristores normais. Três terminais do GTO são chamados de 'ânodo', 'cátodo' e 'porta'.
Em operação, o tiristor age conduzindo quando um pulso é fornecido ao portão. Ele tem três modos de operação conhecidos como 'modo de bloqueio reverso', 'modo de bloqueio direto' e 'modo de condução direta'. Uma vez que a porta é acionada com o pulso, o tiristor vai para o 'modo de condução direta' e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor que o limite de 'corrente de retenção'.
Além dos recursos dos tiristores normais, o estado 'desligado' do GTO também é controlável por meio de pulsos negativos. Em tiristores normais, a função 'off' ocorre automaticamente.
Os GTOs são dispositivos de energia e são usados principalmente em aplicações de corrente alternada.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma velocidade de chaveamento mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
O IGBT possui os recursos combinados de MOSFET e transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e tem características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de capacidade de manuseio de alta corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) lidam com quilowatts de energia.
Qual é a diferença entre IGBT e GTO?
1. Três terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o GTO tem terminais conhecidos como ânodo, cátodo e porta.
2. A porta do GTO precisa apenas de um pulso para a comutação, enquanto o IGBT precisa de um fornecimento contínuo de tensão de porta.
3. IGBT é um tipo de transistor e GTO é um tipo de tiristor, que pode ser considerado um par de transistores fortemente acoplado em análise.
4. O IGBT tem apenas uma junção PN e o GTO tem três delas
5. Ambos os dispositivos são usados em aplicações de alta potência.
6. O GTO precisa de dispositivos externos para controlar os pulsos de desligamento e ativação, enquanto o IGBT não precisa.
