BJT vs IGBT
BJT (transistor de junção bipolar) e IGBT (transistor bipolar de porta isolada) são dois tipos de transistores usados para controlar correntes. Ambos os dispositivos possuem junções PN e diferentes na estrutura do dispositivo. Embora ambos sejam transistores, eles têm diferenças significativas nas características.
BJT (transistor de junção bipolar)
O BJT é um tipo de transistor que consiste em duas junções PN (uma junção feita conectando semicondutor tipo ap e semicondutor tipo n). Estas duas junções são formadas conectando três peças semicondutoras na ordem de PNP ou NPN. Portanto, dois tipos de BJTs, conhecidos como PNP e NPN, estão disponíveis.
Três eletrodos são conectados a essas três partes semicondutoras e o fio do meio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.
No BJT, a corrente do emissor de coletor grande (I c) é controlada pela corrente do emissor de base pequena (I B), e essa propriedade é explorada para projetar amplificadores ou interruptores. Portanto, pode ser considerado um dispositivo acionado por corrente. O BJT é usado principalmente em circuitos de amplificadores.
IGBT (transistor bipolar de porta isolada)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma velocidade de chaveamento mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e tem características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de capacidade de manuseio de alta corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) lidam com quilowatts de energia.
Diferença entre BJT e IGBT
1. O BJT é um dispositivo acionado por corrente, enquanto o IGBT é acionado pela tensão da porta
2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o BJT é feito de emissor, coletor e base.
3. Os IGBTs são melhores no manuseio de energia do que os BJT
4. O IGBT pode ser considerado uma combinação de BJT e um FET (Transistor de efeito de campo)
5. O IGBT tem uma estrutura de dispositivo complexa em comparação com o BJT
6. O BJT tem uma longa história em comparação ao IGBT
