IGBT vs tiristor
Tiristor e IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) são dois tipos de dispositivos semicondutores com três terminais e ambos são usados para controlar correntes. Ambos os dispositivos possuem um terminal de controle denominado 'gate', mas possuem diferentes princípios de operação.
Tiristor
O tiristor é feito de quatro camadas semicondutoras alternadas (na forma de PNPN), portanto, consiste em três junções PN. Em análise, ele é considerado um par de transistores fortemente acoplados (um PNP e outro na configuração NPN). As camadas mais externas do semicondutor do tipo P e N são chamadas de ânodo e cátodo, respectivamente. O eletrodo conectado à camada semicondutora do tipo P interna é conhecido como 'portão'.
Em operação, o tiristor age conduzindo quando um pulso é fornecido ao portão. Ele tem três modos de operação conhecidos como 'modo de bloqueio reverso', 'modo de bloqueio direto' e 'modo de condução direta'. Uma vez que a porta é acionada com o pulso, o tiristor vai para o 'modo de condução direta' e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor que o limite de 'corrente de retenção'.
Tiristores são dispositivos de potência e na maioria das vezes são usados em aplicações que envolvem altas correntes e tensões. A aplicação de tiristor mais usada é o controle de correntes alternadas.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma velocidade de chaveamento mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
O IGBT possui os recursos combinados de MOSFET e transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e tem características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, ele tem as vantagens de capacidade de manuseio de alta corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) lidam com quilowatts de energia.
Em resumo:
Diferença entre IGBT e tiristor
1. Três terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o tiristor tem terminais conhecidos como ânodo, cátodo e porta.
2. A porta do tiristor precisa apenas de um pulso para mudar para o modo de condução, enquanto o IGBT precisa de um fornecimento contínuo de tensão de porta.
3. IGBT é um tipo de transistor e o tiristor é considerado um par de transistores fortemente acoplado em análise.
4. O IGBT tem apenas uma junção PN e o tiristor tem três delas.
5. Ambos os dispositivos são usados em aplicações de alta potência.
