IGBT vs MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) são dois tipos de transistores, e ambos pertencem à categoria acionada por gate. Ambos os dispositivos têm estruturas de aparência semelhante com diferentes tipos de camadas semicondutoras.
Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET)
MOSFET é um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET), que é feito de três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui, a corrente de drenagem é controlada pela tensão da porta. Portanto, os MOSFETs são dispositivos controlados por tensão.
Os MOSFETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal n ou canal p, em modo de esgotamento ou aprimoramento. A drenagem e a fonte são feitas de semicondutor do tipo n para MOSFETs de canal n e, da mesma forma, para dispositivos de canal p. O portão é feito de metal e separado da fonte e do dreno usando um óxido de metal. Este isolamento causa baixo consumo de energia e é uma vantagem no MOSFET. Portanto, o MOSFET é usado na lógica CMOS digital, onde os MOSFETs dos canais p e n são usados como blocos de construção para minimizar o consumo de energia.
Embora o conceito de MOSFET tenha sido proposto muito cedo (em 1925), ele foi praticamente implementado em 1959 nos laboratórios Bell.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma velocidade de chaveamento mais alta, o que o torna altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e tem características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de capacidade de manuseio de alta corrente e facilidade de controle. Módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) podem lidar com quilowatts de energia.
Diferença entre IGBT e MOSFET
1. Embora o IGBT e o MOSFET sejam dispositivos controlados por tensão, o IGBT tem características de condução semelhantes às do BJT.
2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o MOSFET é feito de porta, fonte e dreno.
3. IGBTs são melhores no manuseio de energia do que MOSFETS
4. O IGBT tem junções PN e os MOSFETs não as têm.
5. O IGBT tem uma queda de tensão direta menor em comparação com o MOSFET
6. O MOSFET tem uma longa história em comparação ao IGBT
