Diferença Entre NMOS E PMOS

2024 Autor: Mildred Bawerman | [email protected]. Última modificação: 2023-12-16 08:41

NMOS vs PMOS

Um FET (Transistor de efeito de campo) é um dispositivo controlado por tensão onde sua capacidade de transporte de corrente é alterada pela aplicação de um campo eletrônico. Um tipo comumente usado de FET é o Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). Os MOSFET são amplamente utilizados em circuitos integrados e aplicações de comutação de alta velocidade. O MOSFET funciona induzindo um canal condutor entre dois contatos chamados de fonte e dreno, aplicando uma tensão no eletrodo de porta isolado por óxido. Existem dois tipos principais de MOSFET chamados nMOSFET (comumente conhecido como NMOS) e pMOSFET (comumente conhecido como PMOS), dependendo do tipo de portadoras que fluem através do canal.

O que é NMOS?

Conforme mencionado anteriormente, NMOS (nMOSFET) é um tipo de MOSFET. Um transistor NMOS é feito de fonte e dreno do tipo n e um substrato do tipo p. Quando uma voltagem é aplicada ao portão, orifícios no corpo (substrato tipo p) são afastados do portão. Isso permite a formação de um canal do tipo n entre a fonte e o dreno e uma corrente é transportada pelos elétrons da fonte para o dreno através de um canal do tipo n induzido. As portas lógicas e outros dispositivos digitais implementados usando NMOSs têm lógica NMOS. Existem três modos de operação em um NMOS chamados de corte, triodo e saturação. A lógica NMOS é fácil de projetar e fabricar. Mas os circuitos com portas lógicas NMOS dissipam a energia estática quando o circuito está ocioso, já que a corrente CC flui pela porta lógica quando a saída é baixa.

O que é PMOS?

Conforme mencionado anteriormente, PMOS (pMOSFET) é um tipo de MOSFET. Um transistor PMOS é feito de fonte e dreno do tipo p e um substrato do tipo n. Quando uma tensão positiva é aplicada entre a fonte e a porta (tensão negativa entre a porta e a fonte), um canal do tipo p é formado entre a fonte e o dreno com polaridades opostas. Uma corrente é conduzida por orifícios da fonte ao dreno através de um canal do tipo p induzido. Uma alta tensão na porta fará com que um PMOS não conduza, enquanto uma baixa tensão na porta fará com que ele conduza. As portas lógicas e outros dispositivos digitais implementados usando PMOS são considerados como tendo lógica PMOS. A tecnologia PMOS tem baixo custo e boa imunidade a ruídos.

Qual é a diferença entre NMOS e PMOS?

NMOS é construído com fonte e dreno tipo n e um substrato tipo p, enquanto PMOS é construído com fonte e dreno tipo p e um substrato tipo n. Em um NMOS, os portadores são elétrons, enquanto em um PMOS, os portadores são lacunas. Quando uma alta tensão é aplicada ao gate, o NMOS conduzirá, enquanto o PMOS não. Além disso, quando uma baixa tensão é aplicada na porta, NMOS não conduzirá e PMOS conduzirá. NMOS são considerados mais rápidos do que PMOS, uma vez que os portadores em NMOS, que são elétrons, viajam duas vezes mais rápido que buracos, que são os portadores em PMOS. Mas os dispositivos PMOS são mais imunes a ruídos do que os dispositivos NMOS. Além disso, os ICs NMOS seriam menores do que os ICs PMOS (que oferecem a mesma funcionalidade), uma vez que o NMOS pode fornecer metade da impedância fornecida por um PMOS (que tem a mesma geometria e condições de operação).