BJT vs FET
Tanto o BJT (Bipolar Junction Transistor) quanto o FET (Field Effect Transistor) são dois tipos de transistores. O transistor é um dispositivo semicondutor eletrônico que fornece um sinal de saída elétrico que muda muito para pequenas mudanças em pequenos sinais de entrada. Devido a esta qualidade, o dispositivo pode ser usado como um amplificador ou uma chave. O transistor foi lançado na década de 1950 e pode ser considerado uma das mais importantes invenções do século 20, considerando sua contribuição para o desenvolvimento da TI. Diferentes tipos de arquiteturas para transistores foram testados.
Transistor de junção bipolar (BJT)
O BJT consiste em duas junções PN (uma junção feita conectando semicondutor do tipo ap e semicondutor do tipo n). Estas duas junções são formadas conectando três peças semicondutoras na ordem de PNP ou NPN. Existem dois tipos de BJTs conhecidos como PNP e NPN.
Três eletrodos são conectados a essas três partes semicondutoras e o fio do meio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.
No BJT, a corrente do emissor de coletor grande (Ic) é controlada pela corrente do emissor de base pequena (IB) e essa propriedade é explorada para projetar amplificadores ou interruptores. Por isso, pode ser considerado um dispositivo acionado por corrente. O BJT é usado principalmente em circuitos de amplificadores.
Transistor de efeito de campo (FET)
O FET é composto por três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui, a corrente de drenagem é controlada pela tensão da porta. Portanto, os FETs são dispositivos controlados por tensão.
Dependendo do tipo de semicondutor usado para fonte e dreno (no FET ambos são feitos do mesmo tipo de semicondutor), um FET pode ser um canal N ou dispositivo de canal P. Fonte para drenar o fluxo de corrente é controlada ajustando a largura do canal aplicando uma voltagem apropriada ao portão. Também existem duas maneiras de controlar a largura do canal, conhecidas como esgotamento e aprimoramento. Portanto, os FETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal N ou canal P com modo de depleção ou aprimoramento.
Existem muitos tipos de FETs, como MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). O CNTFET (Carbon Nanotube FET), que foi resultado do desenvolvimento da nanotecnologia, é o mais recente membro da família FET.
Diferença entre BJT e FET
1. O BJT é basicamente um dispositivo acionado por corrente, embora o FET seja considerado um dispositivo controlado por tensão.
2. Os terminais do BJT são conhecidos como emissor, coletor e base, enquanto o FET é feito de porta, fonte e dreno.
3. Na maioria das novas aplicações, são usados FETs em vez de BJTs.
4. O BJT usa elétrons e lacunas para a condução, enquanto o FET usa apenas um deles e, portanto, é conhecido como transistores unipolares.
5. Os FETs são mais eficientes em termos de energia do que os BJTs.
